纳米硅/晶体硅异质结电池的暗Ⅰ-Ⅴ特性和输运机制 |
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作者姓名: | 刘丰珍 崔介东 张群芳 朱美芳 周玉琴 |
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作者单位: | 中国科学院研究生院物理科学学院,北京,100049 |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展规划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划) |
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摘 要: | 采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗Ⅰ-Ⅴ特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗Ⅰ-Ⅴ特性采用双二极管模型来拟合,可将0~1V的电压范围区分为4个区域:旁路电阻(0~0.15V)、非理想二极管2(0.15~0.3V)、理想二极管1(0.3~0.5V)和串联电阻(>0.5V).拟合结果表明,适当的氢处理时间(~30s)可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性.对于282~335K的暗Ⅰ-Ⅴ温度特性的研究表明,在0.15~0.3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0.3~0.5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释.
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关 键 词: | 纳米硅薄膜 异质结电池 暗电流-电压特性 输运机制 |
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