| 8GHz带有RC稳定网络的AIGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计 |
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| 引用本文： | 曾轩,陈晓娟,刘果果,袁婷婷,陈中子,张辉,王亮,李诚瞻,庞磊,刘新宇,刘键.8GHz带有RC稳定网络的AIGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计[J].半导体学报,2008,29(8):1445-1448. |
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| 作者姓名： | 曾轩 陈晓娟 刘果果 袁婷婷 陈中子 张辉 王亮 李诚瞻 庞磊 刘新宇 刘键 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 设计了工作在8GHz的基于AIGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波ldB压缩点时的输出功率为PldB=43dBm(20W),线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMTs 内匹配 功率合成 微波功率放大器 |
An 8GHz Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier with RC Stability Network |
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| Zeng Xuan,Chen Xiaojuan,Liu Guoguo,Yuan Tingting,Chen Zhongzi,Zhang Hui,Wang Liang,Li Chengzhan,Pang Lei,Liu Xinyu,Liu Jian.An 8GHz Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier with RC Stability Network[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(8):1445-1448. |
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| Authors: | Zeng Xuan Chen Xiaojuan Liu Guoguo Yuan Tingting Chen Zhongzi Zhang Hui Wang Liang Li Chengzhan Pang Lei Liu Xinyu Liu Jian |
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| Abstract: | 8GHz 20W internally matched AIGaN/GaN HEMTs have been developed.The input and output matching net-works are realised with microstrip lines on a 0.381mm thick alumina substrate.To improve the stability factor K of the device,a lossy RC network is used at the input of the device.The developed internally matched power amplifier module exhibits 43dBm(20W)power output with a 7.3dB linear gain,38.1% PAE,and combined power efficiency of 70.6% at 8GHz. |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMTs internally match power combining power amplifier |
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