| MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析 |
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| 引用本文： | 王冲,岳远征,马晓华,郝跃,冯倩,张进城. MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析[J]. 半导体学报, 2008, 29(8) |
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| 作者姓名： | 王冲 岳远征 马晓华 郝跃 冯倩 张进城 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 AIGaN/GaN 介质栅 |
Development and Characteristic Analysis of MOS AIGaN/GaN HEMTs |
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| Wang Chong,Yue Yuanzheng,Ma Xiaohua,Hao Yue,Feng Qian,Zhang Jincheng. Development and Characteristic Analysis of MOS AIGaN/GaN HEMTs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(8) |
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| Authors: | Wang Chong Yue Yuanzheng Ma Xiaohua Hao Yue Feng Qian Zhang Jincheng |
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