IOGHz 0.25μm CMOS LC压控振荡器 |
| |
作者姓名: | 王欢 王志功 冯军 章丽 李伟 |
| |
作者单位: | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
| |
摘 要: | 采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感,将A-MOS变容二极管与无源金属-绝缘层-金属电容串联,并采用了带LC滤波器的尾电流源.测试结果显示,当振荡频率为10.2GHz时,在1MHz频偏处相位噪声为-103.2dBc/Hz,调谐范围为11.5%.供电电压为3.3V时,核心电路功耗为9.0mW.芯片面积为0.67mm×0.58mm.
|
关 键 词: | 压控振荡器 LC振荡器 CMOS工艺 |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
|