| 考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型 |
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| 引用本文： | 葛霁,金智,刘新宇,程伟,王显泰,陈高鹏,吴德馨.考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型[J].半导体学报,2008,29(11). |
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| 作者姓名： | 葛霁 金智 刘新宇 程伟 王显泰 陈高鹏 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC模型中,改进的模型提高了GaAs基HBT多电压偏置下s参数的拟合精度,其在很宽的电压范围内均与实际测试结果符合良好.
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| 关 键 词： | 载流子速度 耗尽层宽度 集电区渡越时间 VBIC模型 |
A VBIC Model with Voltage-Dependent Carrier Velocity and Depletion-Layer Thickness |
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| Ge Ji,Jin Zhi,Liu Xinyu,Cheng Wei,Wang Xiantai,Chen Gaopeng,Wu Dexin.A VBIC Model with Voltage-Dependent Carrier Velocity and Depletion-Layer Thickness[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(11). |
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| Authors: | Ge Ji Jin Zhi Liu Xinyu Cheng Wei Wang Xiantai Chen Gaopeng Wu Dexin |
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