| 非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 韩晓艳,李贵君,侯国付,张晓丹,张德坤,陈新亮,魏长春,孙健,薛俊明,张建军,赵颖,耿新华.非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响[J].半导体学报,2008,29(8). |
| |
| 作者姓名： | 韩晓艳 李贵君 侯国付 张晓丹 张德坤 陈新亮 魏长春 孙健 薛俊明 张建军 赵颖 耿新华 |
| |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家科技计划配套基金 |
| |
| 摘 要： | 采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%.
|
| 关 键 词： | 超高频等离子增强化学气相沉积技术 非晶硅/微晶硅叠层电池 n/p隧穿结 |
Effect of n Doped Layers in an Amorphous Silicon Top Solar Cell on the Performance of "Micromorph" Tandem Solar Cells |
| |
| Han Xiaoyan,Li Guijun,Hou Guofu,Zhang Xiaodan,Zhang Dekun,Chen Xinliang,Wei Changchun,Sun Jian,Xue Junming,Zhang Jianjun,Zhao Ying,Geng Xinhua.Effect of n Doped Layers in an Amorphous Silicon Top Solar Cell on the Performance of "Micromorph" Tandem Solar Cells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(8). |
| |
| Authors: | Han Xiaoyan Li Guijun Hou Guofu Zhang Xiaodan Zhang Dekun Chen Xinliang Wei Changchun Sun Jian Xue Junming Zhang Jianjun Zhao Ying Geng Xinhua |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
