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| DC应力n-MOSFET热载流子退化的1/f噪声特性 | |
| 作者姓名： | 刘宇安 余晓光 |
| 作者单位： | 井冈山大学数理学院,吉安,343009 |
| 摘 要： | 研究了DC应力n.MOSFET热载流子退化的Sfγ噪声参量.提出了用噪声参数和Sfγ表征高、中、低三种栅应力下n-MOSFET抗热载流子损伤能力的方法.进行了高、中、低三种栅压DC应力下热载流子退化实验.实验结果和本文模型符合较好. |
| 关 键 词： | n-MOSFET 热载流子效应 1/fγ噪声 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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