| 基于等离子体氮化工艺的超薄栅氧化膜的电学特性和可靠性 |
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| 引用本文： | 孙凌,刘薇,段振永,许忠义,杨华岳.基于等离子体氮化工艺的超薄栅氧化膜的电学特性和可靠性[J].半导体学报,2008,29(11). |
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| 作者姓名： | 孙凌 刘薇 段振永 许忠义 杨华岳 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203 |
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| 摘 要： | 介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性.结合两种氮化工艺在栅介质膜中形成了双峰和单峰的氮分布.通过漏极电流、沟道载流子和TDDB的测试,发现栅介质膜中双峰的氮分布可以有效提高器件的电学特性,更为重要的是可以极大提高器件的击穿特性.这指明了延长掺氮氧化膜在超大规模集成电路器件栅介质层中应用的寿命,使之有可能进一步跟上技术的发展.
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| 关 键 词： | 等离子体氮化 迁移率 时变击穿 |
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