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| 0.18μm工艺下p-n结电荷收集的三维TCAD模拟 | |
| 引用本文： | 梁斌,陈书明,刘必慰.0.18μm工艺下p-n结电荷收集的三维TCAD模拟[J].半导体学报,2008,29(9). |
| 作者姓名： | 梁斌 陈书明 刘必慰 |
| 作者单位： | 国防科技大学计算机学院,长沙,410073 |
| 摘 要： | 采用三维TCAD模拟的手段,针对0.18μm工艺下的真实p-n结,研究了偏雎、温度、衬底掺杂浓度和LET对辐射诱导的SET电流脉冲的影响.研究结果表明,在1.62～1.98V的范围内,偏压对电流脉冲的形状有明显影响,而对2ns内的电荷收集总量几乎没有影响;电流脉冲峰值和2ns内的电荷收集总量均随着温度的增加而降低,但温度对电流脉冲峰值的影响更大,而对电荷收集总量的影响相对较小;在典型的现代工艺条件下,衬底掺杂浓度的起伏对单粒子加固性能的影响基本可以忽略;电流脉冲的峰值和电荷收集量二者均随着LET的增加而增加. |
| 关 键 词： | 电荷收集 p-n结 超深亚微米 三维器件模拟 辐射 |
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