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| RF磁控溅射制备AZO透明导电薄膜及其性能 | |
| 作者姓名： | 杨伟锋 刘著光 张峰 黄火林 吴正云 |
| 作者单位： | 1. 厦门大学物理系,厦门,361005 2. 厦门大学物理系,厦门,361005;厦门大学萨本栋微机电中心,厦门,361005 |
| 摘 要： | 室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底E制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光学性能的影响.分析表明:在最优条件下(溅射功率为250W,氩气压强为1.2Pa时),180nm AZO薄膜的电阻率为2.68×10-3 Ω·cm,可见光区平均透射率为90%,适合作为发光二极管和太阳能电池的透明电极.所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,晶粒问界中的O原子吸附是限制薄膜电学性能的主要因素. |
| 关 键 词： | RF磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜 |
| 收稿时间： | 2015-08-18 |
| 修稿时间： | 2008-08-06 |
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