| 不同气氛保护下退火制备的CuO/SiO2复合薄膜微观结构分析 |
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| 引用本文： | 石锋,李玉国,孙钦军.不同气氛保护下退火制备的CuO/SiO2复合薄膜微观结构分析[J].半导体学报,2008,29(12). |
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| 作者姓名： | 石锋 李玉国 孙钦军 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控共溅射法在Si(111)衬底上沉积Cu/SiO2复合薄膜.然后在N2和NH3保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出CuO结构,并对其微观结构进行分析.N2保护下退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu,O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.NH3气氛保护下退火,随着退火温度的升高,CuO由单斜晶相逐渐转变为立方晶相,CuO薄膜结晶质量提高.样品于900℃和1100℃退火后,形成有序散落的微米级颗粒,前者由粒状团簇组成,颗粒表面比较粗糙;后者由片融状小颗粒融合而成,颗粒表面比较光滑.
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| 关 键 词： | 射频磁控共溅射法 CuO/SiO2复合薄膜 微观结构 退火气氛 |
Analysis to Microstructure of CuO/Si02 Composite Thin Films Annealing at Different Atmospheres |
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| Shi Feng,Li Yuguo,Sun Qinjun.Analysis to Microstructure of CuO/Si02 Composite Thin Films Annealing at Different Atmospheres[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(12). |
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| Authors: | Shi Feng Li Yuguo Sun Qinjun |
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