| 离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响 |
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| 引用本文： | 刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,吴惠桢.离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响[J].半导体学报,2008,29(4). |
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| 作者姓名： | 刘成 曹春芳 劳燕锋 曹萌 吴惠桢 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;上海空间电源研究所,上海,200233
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注人剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
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| 关 键 词： | 电致发光器件结构 电流限制孔径 离子注入 |
Electrically Confined Aperture Formed by Ion Implantation and Its Effect on Device Optoelectronic Characteristics |
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| Liu Cheng,Cao Chunfang,Lao Yanfeng,Cao Meng,Wu Huizhen.Electrically Confined Aperture Formed by Ion Implantation and Its Effect on Device Optoelectronic Characteristics[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(4). |
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| Authors: | Liu Cheng Cao Chunfang Lao Yanfeng Cao Meng Wu Huizhen |
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