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| T形栅In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件 | |
| 作者姓名： | 黎明 张海英 徐静波 付晓君 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划),装备预先研究项目,中国科学院微电子研究所所长基金 |
| 摘 要： | 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/lnGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm,605mA/mm,-1.8V,138GHz和78GHz.在8GHz下,输人功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74(75.1)%,254(239)mW/mm,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础. |
| 关 键 词： | MHEMT InAlAs/InGaAs 功率特性 T型栅 |
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