| 一种有机薄膜器件的制备及电存储特性 |
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| 引用本文： | 郭鹏,季欣,董元伟,吕银祥,徐伟.一种有机薄膜器件的制备及电存储特性[J].半导体学报,2008,29(1). |
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| 作者姓名： | 郭鹏 季欣 董元伟 吕银祥 徐伟 |
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| 作者单位： | 复旦大学材料科学系,上海,200433 |
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| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划，国家自然科学基金，上海纳米技术专项基金 |
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| 摘 要： | 研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin-2-ylidene)-malononitrile(HPYM)有机薄膜.器件起始状态为非导通态,在大气环境下,可用正、反向电场进行信号的写入和擦除,表现为极性记忆特性.通过自然氧化的方法在底电极Al表面形成一层Al2O3薄膜层后,可使器件在不同的正向电压脉冲作用下达到不同的导电态,具有一定的多重态存储特性.同时,研究了不同的电极组合对器件电性能的影响,并通过紫外-可见吸收光谱以及喇曼光谱对器件界面进行表征.
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| 关 键 词： | 有机薄膜器件 存储器 电双稳特性 多重态导电特性 |
Fabrication and Memory Characteristics of a New Organic Thin Film Device |
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| Guo Peng,Ji Xin,Dong Yuanwei,Lü Yinxiang,Xu Wei.Fabrication and Memory Characteristics of a New Organic Thin Film Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(1). |
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| Authors: | Guo Peng Ji Xin Dong Yuanwei Lü Yinxiang Xu Wei |
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