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| 单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析 | |
| 作者姓名： | 张银霞 郜伟 康仁科 郭东明 |
| 作者单位： | 1. 郑州大学机械工程学院,郑州,450001 2. 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连,116024 |
| 摘 要： | 为了揭示硅片自旋转磨削加工表面层损伤机理,采用透射电子显微镜对硅片磨削表面层损伤特性进行了分析.结果表明:粗磨Si片的损伤层中有大量微裂纹和高密度位错;半精磨和精磨si片的损伤层中除了微裂纹和位错外,还存在非晶硅和多晶硅(Si-I相和Si-III相).从粗磨到半精磨,Si片的非晶层厚度从约Onm增大到约110nm;从半精磨剑精磨,Si片的非品层厚度由约110nm减小至约30nm,且非晶层厚度的分布均匀性提高.从粗磨到精磨,Si片损伤深度、微裂纹深度及位错滑移深度逐渐减小,材料的去除方式由脆性断裂方式逐渐向塑性方式过渡. |
| 关 键 词： | 单品硅片 磨削 损伤 TEM分析 |
| 收稿时间： | 2015-08-18 |
| 修稿时间： | 2008-04-07 |
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