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| 凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应 | |
| 作者姓名： | 刘果果 黄俊 魏珂 刘新宇 和致经 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划),中国科学院重点创新计划 |
| 摘 要： | 研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N窄位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低.介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃,Nz氛围退火10min.退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08. |
| 关 键 词： | GaN 干法刻蚀 栅漏电 退火 N空位 |
| 收稿时间： | 2015-08-18 |
| 修稿时间： | 2008-08-01 |
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