| 增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺 |
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| 引用本文： | 黎明,张海英,徐静波,李潇,刘亮,付晓君.增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT栅退火工艺[J].半导体学报,2008,29(8). |
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| 作者姓名： | 黎明 张海英 徐静波 李潇 刘亮 付晓君 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 针对InGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用Ti/Pt/Au结构,在320℃退火40min,使器件阈值电压正向移动大约200mV,从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件,保证了增强型器件阈值电压在零以上.
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| 关 键 词： | 增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT 退火 阈值电压 环形振荡器 |
Gate Annealing of an Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT |
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| Li Ming,Zhang Haiying,Xu Jingbo,Li Xiao,Liu Liang,Fu Xiaojun.Gate Annealing of an Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(8). |
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| Authors: | Li Ming Zhang Haiying Xu Jingbo Li Xiao Liu Liang Fu Xiaojun |
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| Abstract: | For enhancement-mode InGaP/A1GaAs/InGaAs PHEMTs,gate.annealing is conducted between gate structures of Ti/Pt/Au and Pt/Ti/Pt/Au.Comparison is made after thermal annealing and an optimum annealing process is ob-tained.Using the structure of Ti/Pt/Au,about a 200mV positive shift of threshold voltage is achieved by thermal annea-ling at 320℃ for 40min in N2 ambient.Finally,a stable and consistent enhancement-mode PHEMT is produced successfully with higher threshold voltage. |
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| Keywords: | enhancement-mode lnGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT anneal threshold voltage ring oscillator |
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