| 一种全nMoS SOI晶体管4管静态存储器单元 |
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| 作者姓名： | 张万成 吴南健 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种新颖的无负载4管全部由nMOS管组成的随机静态存储器(SRAM)单元.该SRAM单元基于32nm绝缘体上硅(SOI)工艺结点,它包含有两个存取管和两个下拉管.存取管的沟道长度小于下拉管的沟道长度.由于小尺寸MOS管的短沟道效应,在关闭状态时存取管具有远大于下拉管的漏电流,从而使SRAM单元在保持状态下可以维持逻辑"1".存储节点的电压还被反馈到存取管的背栅上,使SRAM单元具有稳定的"读"操作.背栅反馈同时增强了SRAM单元的静态噪声容限(SNM).该单元比传统的6管SRAM单元和4管SRAM单元具有更小的面积.对SRAM单元的读写速度和功耗做了仿真和讨论.该SRAM单元可以工作在0.5V电源电压下.
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| 关 键 词： | SRAM单元 绝缘体上硅 4管 32nm工艺结点 |
| 收稿时间： | 2015-08-18 |
| 修稿时间： | 2008-06-10 |
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