|
|||||
|
|
| 基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究 | |
| 引用本文： | 李阳,赵淑云,吴春亚,孟志国,王忆,熊绍珍.基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究[J].半导体学报,2008,29(12). |
| 作者姓名： | 李阳 赵淑云 吴春亚 孟志国 王忆 熊绍珍 |
| 作者单位： | 1. 五邑大学数学物理系,江门,529020;南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071 2. 香港科技大学电机与电子工程系,香港 3. 南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071 4. 五邑大学数学物理系,江门,529020 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层--薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多品硅(p+-MIC poly-Si)薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性.与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层.对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性.当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED(microcavity-OLED,MOLED)的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高.这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程. |
| 关 键 词： | p型掺杂多晶硅薄膜 微腔 多晶硅薄膜功能层 |
Poly-Si Film Functional Layer Based AM-OLED Display Panel |
|
| Li Yang,Zhao Shuyun,Wu Chunya,Meng Zhiguo,Wang Yi,Xiong Shaozhen.Poly-Si Film Functional Layer Based AM-OLED Display Panel[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(12). | |
| Authors: | Li Yang Zhao Shuyun Wu Chunya Meng Zhiguo Wang Yi Xiong Shaozhen |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |