| VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 |
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| 引用本文： | 于会永,赵有文,占荣,高永亮,惠峰.VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质[J].半导体学报,2008,29(9). |
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| 作者姓名： | 于会永 赵有文 占荣 高永亮 惠峰 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 研究了垂直梯度凝同法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单品材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单品生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析.
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| 关 键 词： | 垂直温度梯度凝固法 GaAs 微缺陷 单晶 |
Defects and Properties of Low Dislocation Si-Doped GaAs Single Crystal Grown by the VGF Method |
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| Yu Huiyong,Zhao Youwen,Zhan Rong,Gao Yongliang,Hui Feng.Defects and Properties of Low Dislocation Si-Doped GaAs Single Crystal Grown by the VGF Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(9). |
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| Authors: | Yu Huiyong Zhao Youwen Zhan Rong Gao Yongliang Hui Feng |
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