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| MOS结构中具有较大漏电流时准静态C-V曲线的测量 | |
| 作者姓名： | 刘凌 |
| 作者单位： | 天津大学电子工程系半导体科研室 |
| 摘 要： | 当MOS电容漏电流大时,往往使得准静态I-V曲线变形(上翘),从而给界面态陷阶密度N_(it)的测量和计算带来了很大的妨碍.本文提出了一种简单方法,可以将准静态I-V曲线进行修正,使得漏电较严重的MOS电容的界面态密度N_(it)计算得出满意的结果. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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