| 高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理 |
| |
| 引用本文： | 胡强,卢铁城,敦少博,张松宝,唐彬,代君龙,朱莎,王鲁闽.高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理[J].半导体学报,2005,26(8):1543-1548. |
| |
| 作者姓名： | 胡强 卢铁城 敦少博 张松宝 唐彬 代君龙 朱莎 王鲁闽 |
| |
| 作者单位： | 四川大学物理系教育部辐射物理及技术重点实验室，四川大学物理系教育部辐射物理及技术重点实验室，四川大学物理系教育部辐射物理及技术重点实验室，四川大学物理系教育部辐射物理及技术重点实验室，中国工程物理研究院核物理与化学研究所，中国工程物理研究院核物理与化学研究所，Department of Nuclear Engineering and Radiological Sciences，University of Michigan，MI 48109，USA，Department of Nuclear Engineering and Radiological Sciences，University of Michigan，MI 48109，USA 成都610064，成都610064中国科学院国际材料物理研究中心，沈阳110015，成都610064，成都610064中国工程物理研究院核物理与化学研究所，绵阳621900，绵阳621900，绵阳621900 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合资助项目 |
| |
| 摘 要： | 研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了1e16～1e18cm－2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge＋和Ge2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．
|
| 关 键 词： | Ge纳米晶 阈值剂量 单束双能离子注入 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）08-1543-06 |
| 收稿时间： | 2004-12-20 |
| 修稿时间： | 2005-03-13 |
Physical Mechanism of Ge Nanocrystals Formed by High-Dose-Ion-Implantation |
| |
| ZHU Sha,Wang Lumin,HU Qiang,Lu Tiecheng,Dun Shaobo,ZHANG Songbao,Tang Bin,DAI Junlong,ZHU Sha,Wang Lumin.Physical Mechanism of Ge Nanocrystals Formed by High-Dose-Ion-Implantation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(8):1543-1548. |
| |
| Authors: | ZHU Sha Wang Lumin HU Qiang Lu Tiecheng Dun Shaobo ZHANG Songbao Tang Bin DAI Junlong ZHU Sha Wang Lumin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Ge nanocrystals threshold dose ion implantation of mono-beam with two kinds of energy |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
