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| 用第一性原理研究Ti掺杂β-Ga_2O_3的电子结构和光学性能(英文) | |
| 作者姓名： | 孟德兰 闫金良 牛培江 |
| 作者单位： | 鲁东大学物理与光电工程学院,山东烟台,264025 |
| 摘 要： | 用GGA+U的方法研究了本征β-Ga2O3和Ti掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性能。晶格常数的计算值与实验值差别小于1%,本征β-Ga2O3的带隙计算值4.915eV,与实验值4.9eV一致。Ti替位Ga(1)位置和Ti替位Ga(2)位置的β-Ga2O3的价带最大值和导带最小值间隙分别为4.992eV和4.955eV,Ti掺杂引入的杂质带起到中间带作用,可以使电子从杂质带跃迁到导带和价带跃迁到杂质带。Ti掺杂β-Ga2O3中间带的存在使其成为潜在的宽光谱吸收太阳能电池材料。 |
| 关 键 词： | 第一性原理 Ti掺杂β-Ga2O3 电子结构 光学性能 |
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