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| 硅片背面镀镍后去黑胶新方法 | |
| 引用本文： | 张育才.硅片背面镀镍后去黑胶新方法[J].半导体技术,1986(5). |
| 作者姓名： | 张育才 |
| 作者单位： | 国营卫光电工厂 |
| 摘 要： | 在大功率晶体管生产中,一般要在硅片背面进行一次或两次化学镀镍.为了保护好硅片正面,镀镍前需要在硅片正面涂上一层黑胶作保护层,而镀镍后再把这层黑胶去除掉,且要求去除得很干净.根据化学原理,一般采用甲苯超声法去黑胶,通常工艺规定为:用干净甲苯(亦可用回收的较净的甲苯)多次(一般约需4～5次)超声去黑胶,直至硅片正面的黑胶全部溶掉,再用干净的甲苯超声2遍,接着用丙酮超声2遍,然后在红外灯下烘干就可交检验了. |
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