| 高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制 |
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| 引用本文： | 袁剑峰,杨柏梁,朱永福,李牧菊,刘传珍,吴渊,廖燕平,王刚,邵喜斌,刘宏武,黄锡珉.高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制[J].液晶与显示,1999(3). |
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| 作者姓名： | 袁剑峰 杨柏梁 朱永福 李牧菊 刘传珍 吴渊 廖燕平 王刚 邵喜斌 刘宏武 黄锡珉 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所北方液晶工程研究开发中心!吉林长春130021，中国科学院长春物理研究所北方液晶工程研究开发中心!吉林长春130021，中国科学院长春物理研究所北方液晶工程研究开发中心!吉林长春130021，中国科学院长春物理研究所北方液晶工程研究开发中心!吉林长春130021 |
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| 基金项目： | 中国科学院 “九五”重大项目，吉林省“九五”科技攻关项目资助 |
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| 摘 要： | 介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。
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| 关 键 词： | a-Si∶HTFT开关器件 有源层 栅绝缘层 界面特性 |
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