| GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究 |
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| 引用本文： | 孙小玲,杨辉,李国华,郑联喜,李建斌,王玉田,王占国.GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究[J].半导体学报,1999,20(3):225-230. |
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| 作者姓名： | 孙小玲 杨辉 李国华 郑联喜 李建斌 王玉田 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京100083 |
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| 摘 要： | 本文报道了利用MOCVD方法,在GaAs衬底(001)面制备的立方GaN薄膜的光学性质.利用光致发光(PL)光谱的半高宽确定制备的样品具有不同的晶体质量.利用喇曼散射(RS)光谱研究了立方GaN薄膜中的光学声子模式.横向(TO)和纵向(LO)声子在立方GaN中的散射峰分别位于552cm-1和739cm-1.另外还观察到来自界面无序层的TOB和LOB.根据喇曼频移和选择定则可识别GaN中的相组成.其来自六方相GaN的E2声子模,可作为识别立方GaN中六方相的标志.随着退火温度的升高,样品中的界面层的效应减弱,六方相增加
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| 关 键 词： | 砷化镓 MOCVD法 氮化镓 外延生长 |
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