| 用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料 |
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| 引用本文： | 王向武,黄子乾,潘彬,李肖,张岚. 用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料[J]. 固体电子学研究与进展, 2005, 25(2): 269-270 |
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| 作者姓名： | 王向武 黄子乾 潘彬 李肖 张岚 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 四氯化碳掺杂 |
| 文章编号： | 1000-3819(2005)02-269-02 |
| 修稿时间： | 2003-05-08 |
The MOVPE Wafers for AlGaAs/GaAs HBT |
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| WANG Xiangwu,HUANG Ziqian,PAN Bin,LI Xiao,ZHANG Lan. The MOVPE Wafers for AlGaAs/GaAs HBT[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2005, 25(2): 269-270 |
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| Authors: | WANG Xiangwu HUANG Ziqian PAN Bin LI Xiao ZHANG Lan |
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| Abstract: | AlGaAs/GaAs Heterostructure Bipolar Transistor (HBTs) wafers were grown using LP-MOVEPE. Carbon tetrachloride(CC1_4) was used as a P-type dopant for the base layer doping. The space layer with a thickness of 3～5 nm can largely reduce the deviation of base-emitter P-N junction relative to the AlGaAs/GaAs heterojunction. The parameters of the HBT made by the wafers is as follows:β=20～35,f_T>50 GHz, f_~max >60 GHz. The output power of X band power device >5 W. |
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| Keywords: | HBT MOVPE CCl_4 doping |
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