采用铝等离子CVD方法的多层布线技术

LSI技术的进步和发展是惊人的,现虽已进入了VLSI时代,但其发展趋势仍在持续。作为维持这种倾向的先导当然是制造工艺技术的革新。我们认为,图形的微细化、工艺的精密化等,今后将更加切实地向前发展。一方面,随着微细加工技术的进步,器件将更微细化,因而LSI芯片的大部分面积却被布线占据了。在有限的面积内,为了进一步提高集成度,提高密度,就必须采用多层布线技术。于是,多层布线技术在今后的工艺技术中将是最重要的课题。