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| SiO2薄膜辅助硅玻璃热键合技术的研究 | |
| 引用本文： | 黄腾超,沈亦兵,侯西云,娄迪,白剑. SiO2薄膜辅助硅玻璃热键合技术的研究[J]. 浙江大学学报(工学版), 2005, 39(9): 1310-1314 |
| 作者姓名： | 黄腾超 沈亦兵 侯西云 娄迪 白剑 |
| 作者单位： | 黄腾超(浙江大学 现代光学与仪器国家重点实验室，浙江 杭州 310027) 沈亦兵(浙江大学 现代光学与仪器国家重点实验室，浙江 杭州 310027) 侯西云(浙江大学 现代光学与仪器国家重点实验室，浙江 杭州 310027) 娄迪(浙江大学 现代光学与仪器国家重点实验室，浙江 杭州 310027) 白剑(浙江大学 现代光学与仪器国家重点实验室，浙江 杭州 310027) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目 |
| 摘 要： | 为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题，提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅玻璃热 键合（SGTB）的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程，对键合过程中的工艺条件进行了 优化.利用反应离子束蚀刻（RIBE）对基片进行抛光，使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环 境下将处理过的玻璃、Si基片干燥，进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火，基 片之间的硅烷醇键发生聚合反应，形成硅氧键键合.实验结果表明，硅和玻璃基片的表面能经过预键合后 有了提高，水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起，OH-数量增加，形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2 薄膜的存在，减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力. |
| 关 键 词： | SiO2薄膜辅助 硅玻璃热键合 反应离子束蚀刻 热诱导应力 |
| 文章编号： | 1008-973X（2005）09-1310-05 |
| 收稿时间： | 2004-06-12 |
| 修稿时间： | 2004-06-12 |
Research on silicon-glass thermal bonding with SiO2 film assist |
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| HUANG Teng-chao,SHEN Yi-bing,HOU Xi-yun,LOU Di,BAI Jian. Research on silicon-glass thermal bonding with SiO2 film assist[J]. Journal of Zhejiang University(Engineering Science), 2005, 39(9): 1310-1314 | |
| Authors: | HUANG Teng-chao SHEN Yi-bing HOU Xi-yun LOU Di BAI Jian |
| Abstract: | |
| Keywords: | SiO2 film assist silicon-glass thermal bonding (SGTB) reactive ion beam etching (RIBE) thermally induced stress |
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