| 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究 |
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| 引用本文： | 宋书林,陈诺夫,周剑平,柴春林,杨少延,刘志凯. 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究[J]. 真空科学与技术学报, 2003, 23(5): 350-352 |
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| 作者姓名： | 宋书林 陈诺夫 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60176001)项目，国家重大基础研究计划(G20000683)资助课题 |
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| 摘 要： | 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。
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| 关 键 词： | 退火 低能离子束外延 GaAs衬底 |
| 文章编号： | 0253-9748(2003)05-0350-03 |
| 修稿时间： | 2003-03-03 |
Annealing effect on (Ga,Mn,As) by Ion Beam Epitaxy |
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| Song Shulin,Chen Nuofu,Zhou Jianping,Chai Chunlin,Yang Shaoyan and Liu Zhikai. Annealing effect on (Ga,Mn,As) by Ion Beam Epitaxy[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2003, 23(5): 350-352 |
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| Authors: | Song Shulin Chen Nuofu Zhou Jianping Chai Chunlin Yang Shaoyan Liu Zhikai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Annealing Low energy ion beam epitaxy GaAs substrate |
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