| 宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望 |
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| 引用本文： | 张波,邓小川,张有润,李肇基.宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望[J].中国电子科学研究院学报,2009,4(2). |
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| 作者姓名： | 张波 邓小川 张有润 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 摘 要： | 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体 碳化硅 功率器件 |
Recent Development and Future Perspective of Silicon Carbide Power Devices--Opportunity and Challenge |
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| ZHANG Bo,DENG Xiao-chuan,ZHANG You-run,LI Zhao-ji.Recent Development and Future Perspective of Silicon Carbide Power Devices--Opportunity and Challenge[J].Journal of China Academy of Electronics and Information Technology,2009,4(2). |
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| Authors: | ZHANG Bo DENG Xiao-chuan ZHANG You-run LI Zhao-ji |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices;University of Electronic Science and Technology of China;Chengdu 610054;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wide bandgap silicon carbide power devices |
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