| X射线光刻技术应用现状与前景 |
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| 引用本文： | 谢常青,陈大鹏,刘明,叶甜春,伊福廷.X射线光刻技术应用现状与前景[J].核技术,2004,27(12):904-908. |
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| 作者姓名： | 谢常青 陈大鹏 刘明 叶甜春 伊福廷 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室,北京,100029;中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室,北京,100049 |
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| 摘 要： | 鉴于接近式X射线光刻技术具有高分辨率、大焦深、大曝光像场、高产量、大工艺宽容度、易于扩展到50am及50am以下规则等诸多优点，它非常适合应用于100nm及100nm以下集成电路的生产。本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术(PXL)现状，再分别介绍X射线光刻技术在纳米电子学研究、单片微波集成电路(MMIC)生产、硅基超大规模集成电路生产中的应用现状与前景，并对国内的X射线光刻技术的近期研究进展进行了简要介绍。
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| 关 键 词： | 接近式X射线光刻 纳米电子学 单片微波集成电路 硅基超大规模集成电路 |
Application status and prospect of X-ray lithography technology |
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