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弛豫对低场下的薄膜磁致伸缩性能影响模型
引用本文:谢海涛,斯永敏,马青松,刘希从. 弛豫对低场下的薄膜磁致伸缩性能影响模型[J]. 材料科学与工程学报, 2002, 20(3): 396-398,409
作者姓名:谢海涛  斯永敏  马青松  刘希从
作者单位:国防科技大学,材料与应用化学系,湖南,长沙,410073
基金项目:国家自然科学基金资助项目 ( 599710 64)
摘    要:基于非晶合金结构微缺陷的Egami模型 ,本文提出了一个弛豫影响低场下的磁致伸缩性能模型。在此模型中 ,低磁场下的磁化和磁致伸缩乃是 180°磁畴旋转的结果 ,而 180°磁畴的壁移磁化过程将被非晶的结构微缺陷所钉扎 ,而在较高磁场情况下 ,不产生磁致伸缩的壁移磁化过程被启动。退火过程将发生非晶相的结构弛豫 ,使非晶相内由结构缺陷产生的应力降低 ,从而导致低磁场下的磁致伸缩得以提高。此模型可以很好地解释各工艺状态的Tb0 .2 7Dy0 .73 Fe2 薄膜低场下的磁致伸缩行为

关 键 词:超磁致伸缩  薄膜  非晶态  弛豫
文章编号:1004-793X(2002)03-0396-04
修稿时间:2001-10-13

A Model of Relax Effect for Magnetostriction of Film in Low Field
XIE Hai tao,SI Yong ming,LIU Xi cong,MA Qing song. A Model of Relax Effect for Magnetostriction of Film in Low Field[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2002, 20(3): 396-398,409
Authors:XIE Hai tao  SI Yong ming  LIU Xi cong  MA Qing song
Abstract:
Keywords:giant magnetostriction  thin films  amorphous  relax
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