自对准LaB_6栅全离子注入GaAs IC工艺实验研究

<正> 近年来,自对准耐高温栅工艺(SAG)已成为国际上研究GaAs VHSIC的主要工艺途径之一。这是因为该工艺流程短,成品率高。但它需要选择制作肖特基势垒栅的材料,以在高温800℃)退火后势垒特性基本不退化。已报导过的难熔材料有TiW,TiWSi,WAl,WN,WSi等。自1985年第17届SSDM上报导了一种LaB_6/GaAs势垒的耐高温特性之后,LaB_6成为自对准耐高温栅GaAs工艺的一种新的有希望的材料。为配合开展势垒特性研究的结果用于将来的器件工艺,进行了以下专题实验:1)制LaB_6栅工艺与增强型MESFET的薄有源层相容性研究;2)LaB_6栅与离子注入层同时高温退火的工艺研究;3)自对准LaB_6栅离子注入形成高浓度(N~+)接触区的结构研究;4)双层布线中简化互连工艺的研究。