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| 正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱 | |
| 作者姓名： | 何进黄 爱华 张兴 黄如 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，北京100871 |
| 基金项目： | Motorola和北京大学合作项目;MSPSDDLCHINA-0004; |
| 摘 要： | 报道了正向栅控二极管 R- G电流法表征 F- N电应力诱生的 SOI- MOSFET界面陷阱的实验及其结果 .通过体接触的方式实现了实验要求的 SOI- MOSFET栅控二极管结构 .对于逐渐上升的累积应力时间 ,测量的栅控二极管电流显示出明显增加的 R- G电流峰值 .根据 SRH理论的相关公式 ,抽取出来的诱生界面陷阱密度是随累积应力时间的上升而呈幂指数的方式增加 ,指数为 0 .4.这一实验结果与文献先前报道的基本一致 |
| 关 键 词： | F-N应力效应 界面陷阱 R-G电流 栅控二极管 MOSFET/SOI |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）08-0957-05 |
| 修稿时间： | 2000-12-22 |
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