用于衬底馈电逻辑电路(SFL)的PNP宽发射极砷化镓双极型晶体管

本文从原理上分析了GaAs-I~2L电路相对于Si-I~2L电路的改进潜力,指出了PNP电流源管的基本难点在于过短的空穴扩散长度,从而相应提出了衬底馈电逻辑SFL(Substrate fed logic)GaAs电路的概念,本文比较详细地介绍了PNP-GaAs晶体管的制作工艺,并给出了相应的实验结果,初步的数据为电流增益h_(fe)=40,发射极-收集极击穿电压BV_(ceo)=2～3V,本文同时也给出了NPM和NPN-GaAs晶体管的开关特性。