| 1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计 |
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| 引用本文： | 邱伟彬,何国敏,董杰,王圩.1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计[J].半导体学报,2003,24(1):11-17. |
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| 作者姓名： | 邱伟彬 何国敏 董杰 王圩 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 北京100083
(邱伟彬，董杰)，厦门大学物理系 厦门361005
(何国敏)，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 北京100083(王圩) |
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| 摘 要： | 优化设计了 1.5 5 μm In Ga As P/In Ga As P张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构 .利用 k· p方法计算了多量子阱的价带结构 ,计算中考虑了 6× 6有效质量哈密顿量 .从阱宽、应变、注入载流子密度等方面计算了量子阱模式增益的偏振相关性 .
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| 关 键 词： | 半导体光放大器 偏振不灵敏 多量子阱 |
Design of Tensile Strained InGaAsP/InGaAsP MQW for 1.55μm Polarization Independent Semiconductor Optical Amplifier |
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| Qiu Weibin,He Guomin,Dong Jie,Wang Wei.Design of Tensile Strained InGaAsP/InGaAsP MQW for 1.55μm Polarization Independent Semiconductor Optical Amplifier[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(1):11-17. |
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| Authors: | Qiu Weibin He Guomin Dong Jie Wang Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor optical amplifier polarization independence MQW |
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