| MgO/MgF2掺杂对Al2O3陶瓷烧结、显微结构及微波介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 林聪毅,袁璐,李蔚.MgO/MgF2掺杂对Al2O3陶瓷烧结、显微结构及微波介电性能的影响[J].硅酸盐通报,2019,38(12):3845-384. |
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| 作者姓名： | 林聪毅 袁璐 李蔚 |
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| 作者单位： | 华东理工大学材料科学与工程学院,上海200237;上海三思电子工程有限公司,上海201199;华东理工大学材料科学与工程学院,上海200237 |
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| 摘 要： | 采用搅拌混合法和无压烧结工艺,制备了Mg2+浓度为500 ppm的MgO掺杂和MgF2掺杂的Al2O3陶瓷,系统地研究了MgO和MgF2掺杂对Al2O3陶瓷致密化、显微结构和微波介电性能的影响.研究结果表明:与MgO掺杂相比,MgF2掺杂在较高温度下能更加有效地促进Al2O3陶瓷的致密化.在1550℃烧结条件下,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷比MgO掺杂的Al2O3陶瓷的晶粒更大,同时介电常数也更高.但另一方面,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷介电损耗也远比MgO掺杂的Al2O3陶瓷要高.同时简单分析了造成此现象的原因.
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| 关 键 词： | MgO MgF2 掺杂 Al2O3陶瓷 微波介电性能 |
Effect of MgO/MgF2 Doping on Sintering,Microstructure and Microwave Dielectric Properties of Al2O3 Ceramics |
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| LIN Cong-yi,YUAN Lu,LI Wei.Effect of MgO/MgF2 Doping on Sintering,Microstructure and Microwave Dielectric Properties of Al2O3 Ceramics[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2019,38(12):3845-384. |
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| Authors: | LIN Cong-yi YUAN Lu LI Wei |
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