| 铌镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅薄膜漏电流的抑制 |
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| 引用本文： | 谢丹丹,周静,吴智,沈杰. 铌镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅薄膜漏电流的抑制[J]. 硅酸盐通报, 2019, 38(11): 3403-340 |
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| 作者姓名： | 谢丹丹 周静 吴智 沈杰 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,材料科学与工程学院,材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070;湖南工学院,材料与化学工程学院,衡阳421002;武汉理工大学,材料科学与工程学院,材料复合新技术国家重点实验室,武汉430070;中国地质大学,纳米矿物材料及应用教育部工程研究中心,武汉430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51572205,51802093)%装备预研教育部联合基金(6141A02033209)%中央高校基本科研业务费专项资金资助(2018Ⅲ019)%纳米矿物材料及应用教育部工程研究中心开放项目(NGM2019KF005) |
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| 摘 要： | 将铌镁酸钡(Ba(Mg1/3Nb2/3)O3,BMN)作为缓冲层,通过溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)铁电薄膜.探究BMN缓冲层对PZT铁电薄膜介电、铁电性能影响.研究发现:BMN缓冲层不仅可以改善PZT薄膜晶化生长,同时阻碍了PZT与Pt的互扩散而降低了漏电流.由于对漏电流的抑制作用,适当厚度BMN缓冲层的引入可改善PZT的铁电性能,但随着缓冲层厚度的增加,由于其分压作用,复合膜铁电性减弱.当厚度为10 nm时,薄膜的综合性能最好:介电常数εr=1612.03,介电损耗tanδ=0.024,剩余极化值Pr=31.65 μC/cm2,矫顽场Ec=71.5 kV/cm,漏电流密度J=4.4×10-6 A/cm2.
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| 关 键 词： | 铌镁酸钡缓冲层 锆钛酸铅铁电薄膜 介电损耗 铁电性能 漏电流密度 |
Inhibition of Leakage Current in Lead Zirconate Titanate Thin Films by Barium Magnesium Niobate Buffer Layer |
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| XIE Dan-dan,ZHOU Jing,WU Zhi,SHEN Jie. Inhibition of Leakage Current in Lead Zirconate Titanate Thin Films by Barium Magnesium Niobate Buffer Layer[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2019, 38(11): 3403-340 |
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| Authors: | XIE Dan-dan ZHOU Jing WU Zhi SHEN Jie |
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