| 激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底 |
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| 引用本文： | 方圆,郭霞,王婷,刘斌,沈光地,井亮,陈涛. 激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底[J]. 激光与红外, 2007, 37(1): 62-65 |
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| 作者姓名： | 方圆 郭霞 王婷 刘斌 沈光地 井亮 陈涛 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022;北京工业大学激光学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 北京市属市管高等学校人才强教计划 , 北京市教委资助项目 , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底.采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底.激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,电镀Cu衬底与GaN之间形成致密的结合,对GaN薄膜起到了很好的支撑作用.同时铜的延展性好,使得GaN薄膜内产生的应力得到有效释放,保持了剥离后GaN薄膜的完整性.激光剥离后GaN表面残留物的X射线光电子能谱(XPS)分析显示,激光辐照产生的金属Ga部分与空气中的氧结合形成Ga2O3,这是剥离后GaN表面后处理困难的原因,并给出了相应的解决方法.
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| 关 键 词： | GaN 激光剥离 SEM分析 XPS分析 |
| 文章编号： | 1001-5078（2007）01-0062-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-13 |
Transferring GaN Film from Sapphire to Cu Substrate by Laser Lift-off |
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| FANG Yuan; GUO Xia; WANG Ting; LIU Bin; SHEN Guangdi; JING Liang; CHEN Tao. Transferring GaN Film from Sapphire to Cu Substrate by Laser Lift-off[J]. Laser & Infrared, 2007, 37(1): 62-65 |
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| Authors: | FANG Yuan GUO Xia WANG Ting LIU Bin SHEN Guangdi JING Liang CHEN Tao |
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| Affiliation: | Institute of Electronic Information & Control Engineering; Beijing University of Technology; College of Laser engineering; Beijing 100022; China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN film laser lift-off SEM analyse XPS analyse |
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