| 一种新型低压功率MOSFET结构分析 |
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| 引用本文： | 姚丰,何杞鑫,方邵华. 一种新型低压功率MOSFET结构分析[J]. 半导体技术, 2005, 30(11): 53-56 |
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| 作者姓名： | 姚丰 何杞鑫 方邵华 |
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| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所,杭州,310027;浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所,杭州,310027;浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 浙江省宁波市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构--Trench MOSFET.将其与常规VDMOS通过在结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点.
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| 关 键 词： | 垂直双扩散型金属氧化物半导体 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 器件仿真 导通电阻 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)11-0053-04 |
| 收稿时间： | 2005-01-14 |
| 修稿时间： | 2005-01-14 |
Analysis for a New Low-Voltage Power MOSFET Structure |
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| YAO Feng,HE Qi-xin,FANG Shao-hua. Analysis for a New Low-Voltage Power MOSFET Structure[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(11): 53-56 |
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| Authors: | YAO Feng HE Qi-xin FANG Shao-hua |
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| Abstract: | A new power MOSFET structure: Trench MOSFET is presented. Analysis and comparisons are made between conventional VDMOS and Trench MOSFET. It shows that the new device has a superior performance. |
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| Keywords: | VDMOS trench MOSFET device simulation on-resistance |
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