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| 在InSb和GaAs衬底上用MOCVD法生长CdTe和HgCdTe外延膜 | |
| 引用本文： | W.E.Hoke,刘昭华.在InSb和GaAs衬底上用MOCVD法生长CdTe和HgCdTe外延膜[J].激光与红外,1985(3). |
| 作者姓名： | W.E.Hoke 刘昭华 |
| 摘 要： | 由于HgCdTe的红外探测特性致使生长高质量HgCdTe外延膜具有重要意义。目前一般是在CdTe衬底上生长HgCdTe。CdTe和HgCdTe都是Ⅰ-Ⅵ化合物,具有同样的晶体结构和紧密匹配的晶格。然而,CdTe衬底有缺点。它们价格高,不能制成大面积和不具备高结晶完整性。因此,要求研制在不相同衬底材料上进行HgCdTe外延。最近有文献报导在他种衬底上用分子束外延(MBE)和激光辅助淀积 |
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