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| 硅中注铅的连续CO_2激光退火行为 | |
| 引用本文： | 殷士端,张敬平,顾诠,陆珉华.硅中注铅的连续CO_2激光退火行为[J].半导体学报,1987,8(6):665-669. |
| 作者姓名： | 殷士端 张敬平 顾诠 陆珉华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (殷士端，张敬平，顾诠)，中国科学院北京电子显微镜实验室(陆珉华) |
| 摘 要： | 在(111)Si中以 350 keV,1×10~(15)和 5×10~(15)/cm~2注入Pb并进行连续 CO_2激光退火.用背散射RBS和透射电子显微镜TEM研究退火前后的杂质分布和辐射损伤.实验表明,上述退火处理能消除以剂量1×10~(15)/cm~2注入形成的损伤,而当剂量为5×10~(15)/cm~2时,在超过溶解度的高杂质浓度区,外延生长受到阻挡.再生长终止以后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向外扩散. |
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