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| 分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析 | |
| 引用本文： | 韩培德,杨海峰,杨辉,林耀望,张泽,李新峰,周增圻.分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析[J].半导体学报,1999,20(1):58-61. |
| 作者姓名： | 韩培德 杨海峰 杨辉 林耀望 张泽 李新峰 周增圻 |
| 作者单位： | 中国科学院凝聚态物理中心，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相ＧａＮ／ＧａＡｓ异质微观结构．在ＧａＮ外延层中，观察到大量的、不对称的｛１１１｝面缺陷（层错和微孪晶），以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的生成机理进行了讨论 |
| 关 键 词： | 氮化角 砷化镓 电子显微分析 分子束外延 |
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