| 纳米二氧化钒薄膜的制备及其特性研究 |
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| 引用本文： | 李建国,惠龙飞,冯昊,秦利军,龚婷,安忠维. 纳米二氧化钒薄膜的制备及其特性研究[J]. 半导体光电, 2015, 36(1): 75-80 |
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| 作者姓名： | 李建国 惠龙飞 冯昊 秦利军 龚婷 安忠维 |
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| 作者单位： | 西安近代化学研究所,西安710065;西安近代化学研究所,西安710065;西安近代化学研究所,西安710065;西安近代化学研究所,西安710065;西安近代化学研究所,西安710065;西安近代化学研究所,西安710065 |
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| 摘 要： | 采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2 O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体.通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析.结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95％Ar,5％H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大.
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| 关 键 词： | 原子层沉积(ALD) 纳米二氧化钒薄膜 半导体-金属相变 红外透过率 |
| 收稿时间： | 2014-11-05 |
Study on Preparation and Characteristics of Nano-VO2 Films |
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| LI Jianguo , HUI Longfei , FENG Hao , QIN Lijun , GONG Ting , AN Zhongwei. Study on Preparation and Characteristics of Nano-VO2 Films[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2015, 36(1): 75-80 |
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| Authors: | LI Jianguo HUI Longfei FENG Hao QIN Lijun GONG Ting AN Zhongwei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ALD nano-vanadium dioxide film semiconductor-metal phase transition IR transmittance |
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