一款100V的GaN HEMT功率器件及其温度特性

功率器件应用于航空航天等领域，可以起到功率转换、开关控制等作用。以GaN为代表的宽禁带半导体材料器件已逐渐地成为新型功率器件的不二选择。介绍了一款p型GaN栅的100 V GaN HEMT功率器件，给出了该器件各项参数的仿真情况、常态测试参数和三温实验数据，并给出了仿真结果与器件实测结果的对比情况。相较于25℃，在125℃环境温度下，器件阈值电压漂移-0.1 V；在-55℃环境温度下，阈值电压漂移+0.1 V；在-55～125℃全温范围内，器件击穿电压没有明显的变化，均为108 V。说明该GaN HEMT器件有较强的全温范围适应能力。