| 一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计 |
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| 引用本文： | 王进军,王侠,史永胜,马颖. 一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计[J]. 陕西科技大学学报, 2009, 27(3): 98-100,105 |
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| 作者姓名： | 王进军 王侠 史永胜 马颖 |
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| 作者单位： | 西安科技大学电气与控制工程学院,陕西,西安,710054 |
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| 基金项目： | 陕西科技大学校级自选科研项目 |
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| 摘 要： | 采用UMC 0.6 μm BiCMOS工艺设计了一款应用于LDO的高性能过温保护电路,该电路具有20 ℃的温度滞回区间,热关断点温度160 ℃、热开启点温度140 ℃,同时在输入电压2.5 ～6 V范围内热关断点、开启点温度最大漂移不超过6 ℃,具有较高的精度,满足LDO宽输入电压范围的要求.
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| 关 键 词： | 过温保护 |
DESIGN A HIGH-PERFORMANCE THERMAL-SHUTDOWN CIRCUIT USED IN LDO |
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| WANG Jin-jun,WANG Xia,SHI Yong-sheng,MA Ying. DESIGN A HIGH-PERFORMANCE THERMAL-SHUTDOWN CIRCUIT USED IN LDO[J]. Journal of Shaanxi University of Science & Technology(Natural Science Edition), 2009, 27(3): 98-100,105 |
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| Authors: | WANG Jin-jun WANG Xia SHI Yong-sheng MA Ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LDO BiCMOS |
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