| 硅各向异性腐蚀的原子级模拟 |
| |
| 引用本文： | 姜岩峰,黄庆安.硅各向异性腐蚀的原子级模拟[J].半导体学报,2005,26(3):618-623. |
| |
| 作者姓名： | 姜岩峰 黄庆安 |
| |
| 作者单位： | 北方工业大学信息工程学院微电子中心 北京100041
(姜岩峰)，东南大学电子工程系MEMS教育部重点实验室 南京210096(黄庆安) |
| |
| 摘 要： | 应用原子级模型中的随机CA算法，针对硅材料和具体的工艺特点，构造了相应的函数，并在此基础上编制了应用软件——SSAE．该软件可独立运行，能够模拟出硅在KOH中不同腐蚀条件下腐蚀的过程和结果，并且克服了其他采用原子级模型的模拟软件中常出现的边界模糊等缺点．该结果与其他软件和实验结果相比，较为一致，并且该软件具有占用系统资源少、运行时间快等优点，具有一定的实用价值．
|
| 关 键 词： | 各向异性腐蚀 计算机模拟 原子模型 硅各向异性腐蚀 原子级模拟 Method Cellular Automata Anisotropic Etching Silicon 价值 运行时间 系统资源 实验 边界模糊 模拟软件 结果 过程 腐蚀条件 独立运行 应用软件 函数 构造 工艺特点 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0618-06 |
| 修稿时间： | 2004年3月3日 |
Simulation of Silicon Anisotropic Etching Using Cellular Automata Method |
| |
| Jiang Yanfeng,Huang Qing''''an.Simulation of Silicon Anisotropic Etching Using Cellular Automata Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):618-623. |
| |
| Authors: | Jiang Yanfeng Huang Qing'an |
| |
| Abstract: | Simulation of silicon anisotropic etching is made using cellular automata method.According to material property of silicon and etching process,the relevant function is listed.Moreover,a software named SSAE is finished with which the etching process and results can be simulated.Its results accord to other softwares and experiments.Compared with other similar software,SSAE has some advantages,such as independence to hardware and operation system,economization,high simulation speed,etc. |
| |
| Keywords: | anisotropic etching simulation cellular automata |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
