| 基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计 |
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| 引用本文： | 姚小江, 李宾, 陈延湖, 陈小娟, 魏珂, 李诚瞻, 刘丹, 刘果果, 刘新宇, 王晓亮, 罗卫军,. 基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计[J]. 电子器件, 2007, 30(4): 1137-1139 |
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| 作者姓名： | 姚小江 李宾 陈延湖 陈小娟 魏珂 李诚瞻 刘丹 刘果果 刘新宇 王晓亮 罗卫军 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;四川龙瑞微电子有限公司,成都,610041;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助(2002CB311903)，中国科学院重点创新资助(KGCX2-SW-107) |
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| 摘 要： | 我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.
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| 关 键 词： | 微波功率放大器 AlGaN/GaN HEMT 混合集成电路(MIC) |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）04-1137-03 |
| 修稿时间： | 2006-08-01 |
AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Powercombining at C-Band |
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| YAO Xiao-jiang,LI Bing,CHEN Yan-hu,CHEN Xiao-juan,WEI Ke,LI Cheng-zhan,LUO Wei-jun,WANG Xiao-liang,LIU Dan,LIU Guo-guo,LIU Xing-yu. AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Powercombining at C-Band[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(4): 1137-1139 |
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| Authors: | YAO Xiao-jiang LI Bing CHEN Yan-hu CHEN Xiao-juan WEI Ke LI Cheng-zhan LUO Wei-jun WANG Xiao-liang LIU Dan LIU Guo-guo LIU Xing-yu |
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| Affiliation: | 1. Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Science, Beijing 100029, China; 2. Long Rui Microelectronic Corporation, Chengdu 610041, China; 3. Institute of Semiconductor of Chinese Academy of Science , Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microwave power amplifiers AlGaN/GaN HEMTs MIC. |
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