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| 超高真空（UHV）PECVD系统沉积a—Si1—xCx：Hk薄膜及其特性 | |
| 引用本文： | 容幸福,秦志钰.超高真空（UHV）PECVD系统沉积a—Si1—xCx：Hk薄膜及其特性[J].真空,2000(3):10-17. |
| 作者姓名： | 容幸福 秦志钰 |
| 摘 要： | 本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学了相沉积（ＶＨＶ－ＰＥＣＶＤ）复合腔系统 只ａ－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈｋ薄膜及其特性。系统的真空度可达１０＾－７Ｐａ（１０＾－９Ｔｏｒｒ）以上。通过控制Ｈ２对常规用混合气体（ＳｉＨ４＋ＣＨ４）的稀释程度以及相应的ＣＨ４比例，优化沉积工艺参数，制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳（ａ－Ｓｉ１－ｘＣｓ：Ｈｋ）薄膜，通过ＲＢＳ、ＥＲＤＡ、ＩＴ和Ｒａｍａｍ光 |
| 关 键 词： | 超高真空 PECVD 光电特性 |
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